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人(rén)類應鼎力進行探索的35種颠覆性技術 2020年(nián)07月22日(rì)

人(rén)類文明的進步,隻要出現難以逾越的障礙,必然給人(rén)類的發展帶來(lái)迷茫和災難。而解決的路(lù)徑隻有一個:科(kē)技探索和創新。隻有鼎力進行中的科(kē)技探索,能促使人(rén)類放(fàng)棄相(xiàng)互之間的成見,攜手團結,共創光明的未來(lái)。筆者在本文中提出如(rú)下35種颠覆性技術,如(rú)果一旦有所突破,必然會給人(rén)類帶來(lái)新的希望。相(xiàng)信在不遠(yuǎn)的将來(lái),會逐步出現一些科(kē)技創新的突破,使這些技術付諸使用,并對人(rén)類文明的發展帶來(lái)驚人(rén)的颠覆性改變。

這35種科(kē)學理(lǐ)論和技術是:

01


勢壘波能發動機(空天機專用)


簡介:以mm級磁屏爲磁能勢壘,對ug級爲起點的動能在通屏時,産生(shēng)逆熵效應,以分(fēn)子波的形式與磁屏産生(shēng)增益80萬倍的反作用力,推動飛行器運動。

02


十六晶面内聚儲能材料(電池儲能)


簡介:利用碳烯措邊合成十六面晶球,形成球閃無苛空間,對外來(lái)電子産生(shēng)對率吸納作用。在晶球吸納外來(lái)電子至飽和态時,由晶面向鄰界晶球輸出内儲電子。鄰界晶球也是以對率吸納的形式,使内儲鄰界晶球輸出的電子(飽和輸出),在晶球之間形成梯次輸——放(fàng)電子功能。

03


泛晶材料(常溫磁、電超導材料)


簡介:利用二維晶面材料,疊加制成nm隙的疊層結構材料,使二維晶面材料之間形成無壘通道,對磁、電粒子不産生(shēng)效應阻力,在常溫條件下,無阻定向通過泛晶材料。

04


惰烯膜材料技術(表面阻熱(rè)、抗輻射材料)


簡介:把惰性氣體(tǐ)過溫加熱(rè),使其産生(shēng)遊離(lí)懸浮态後,速冷(lěng)聚合爲霧态雲,緩速沉澱生(shēng)成惰性負價烯膜。附于物體(tǐ)表面的烯膜可(kě)使該物體(tǐ)具有表面阻熱(rè)和抗輻射效能。

05


納米旋毛次聲波發生(shēng)器


簡介:把容聲性彈性材料制成nm絨毛體(tǐ),在合成軟金屬管内,以um級等距螺旋形态,插入内管壁面,構成螺旋次障,在氣流吹動或毛尖放(fàng)電過程中,産生(shēng)柔性振動并釋放(fàng)振動聲波。這種聲波是次聲波。

06


量子盾技術


簡介:以量子簇屏效應,對空間相(xiàng)量量子或相(xiàng)量異量子進行等距糾纏,在量子簇屏角向範圍内,把相(xiàng)量量子或相(xiàng)量異量子糾纏控制爲同簇位量子,在等距空間構成同簇位量子陣壘,使等距空間成爲無動态量子壁,即:量子盾。量子盾技術可(kě)以讓人(rén)們越過大(dà)海如(rú)履平地。

07


乏中子材料


簡介:把純中子消能後的誇克,低溫彌加堆疊成多晶面晶粒,在常溫下合成可(kě)變性素位材料。

08


三基态基因理(lǐ)論(人(rén)類基因種類)


簡介:這是以酸、堿、鹽三種基礎物質,對應人(rén)類基因組基礎對稱密碼屬性種類,來(lái)确認人(rén)類種群進化程度的标準。人(rén)類基因組中隻對應一種基礎物質的稱:單基基因,爲初級進化人(rén)類。人(rén)類基因組中對應二種基礎物質的稱:雙基基因,屬中等進化人(rén)類。人(rén)類基因組中對應全部基礎物質的稱:三基基因,屬高級進化人(rén)類。

09


十萬分(fēn)率液體(tǐ)陀螺儀


簡介:利用液體(tǐ)表面與引力絕對垂直現象的原理(lǐ),在球形電感容器中注入混合内聚性液體(tǐ),并充入拒溶性氣體(tǐ),對混合内聚性液體(tǐ)施壓至容器電感原子級刻度,形成質壓平衡原子十萬分(fēn)級平顯率。

10


純晶态電子合成技術


簡介:以非能量誇克對爲誘子,在渦旋磁場中誘導磁粒子過極化,産生(shēng)極點随向性粒子堆積晶态物象,迫使極點随向性粒子的貝粒子流改距,生(shēng)成極性電場流,成爲電子晶态合成體(tǐ)。

11


中微子通訊技術


簡介:利用中微子可(kě)穿越98.82%物質效應區能力的特性,選擇2級态中微子,以數位組合信息内容,由發生(shēng)器直線定向起搏發射。接收方以氫化閃爍屏和光感接收器,按中微子觸屏閃爍數位确認信息内容。

12


冷(lěng)光子輻射技術


簡介:用一個抽真空達到0~2度的,具有定向折反射并單向透光功能的半球形全封閉容器,作爲負量效應區。在不同頻率的光子進入效應區後,由效應區産生(shēng)負量加速,使光子原速度在負量加速作用下,達到超原速效能,生(shēng)成極頻内能光子。

13


二元動差激光器


簡介:把荷量相(xiàng)同的同性粒子,分(fēn)别以低速屏聚和高速軸射的方式,在一個抛物面折(反)射體(tǐ)焦點區處,以動差連續撞擊的形式,産生(shēng)能級越遷并反轉釋放(fàng)定頻光子。

14


異氧滅活理(lǐ)論


簡介:以改變病竈血液及腺體(tǐ)溶氧率,對噬氧和厭(yàn)氧病毒菌種群進行異氧殺滅。

15


金屬微泡材料制作技術


簡介:在合金材料處于等溫液态狀态下,向等溫合金材料中注入氮氣,随後急速降溫使合金材料帶氮冷(lěng)卻固化,形成晶間微泡結構,以提高合金強度及耐溫性。

16


共振築頻原理(lǐ)公式解釋


簡介:以結構次點,壘式阻尼,相(xiàng)量分(fēn)布,截面滞熵爲共振築頻基礎,以公式法解釋共振原理(lǐ)及計(jì)算過程。

17


粒子共性理(lǐ)論


簡介:用粒子轭能共享效應,解釋粒子間次能補償,構成穩定粒子組合成份,達到目标性創新物質的合成效果和依據。

18


Kt級旋射通用發動機


簡介:以徑向加速的方式,把g級等離(lí)子态能量加速到白(bái)熾量子級能量,利用滞旋磁屏,把白(bái)熾量子級能量切流導入磁轭射流噴管,以亞光速射流形态,由單體(tǐ)噴口噴出,産生(shēng)反作用推力。

19


彌電子存儲技術


簡介:利用彌電子爲4量子内能粒子,對電磁信号具有點位陣列飽和排序功能特性,以nm級二維晶膜結構體(tǐ)爲基陣,對輸入信号按輸入順序,由彌電子點位排序積儲,每個點位儲量爲星球級信息儲量。

20


三聚态聚變技術理(lǐ)論(純聚變彈理(lǐ)論)


簡介:以凝聚态純汞在諧振能量作用下的簇點飽和相(xiàng)變,形成粒子弦壓對稱聚合,使誇克内能弦聚變量釋放(fàng),産生(shēng)純聚變放(fàng)能效應。

21


過态量子技術理(lǐ)論


簡介:等荷量子在糾纏聯動過程中,荷外勢能自(zì)然趨向随勢能跨位,形成自(zì)凝态量子,對物質合成産生(shēng)質變,生(shēng)成超物态變化的自(zì)變相(xiàng)量子。

22


裂導旋頻反引力技術理(lǐ)論


簡介:磁、電場能對沖時,磁、電場對沖相(xiàng)量振頻界弦,以超高速旋轉形态,迫使貝粒子場流出現渦流分(fēn)層裂隙現象,由分(fēn)層裂隙形成的相(xiàng)位超導效應,梯次形成反轉引力屏,對屏外自(zì)然引力産生(shēng)排斥。

23


氣體(tǐ)分(fēn)子成烯技術


簡介:在潔淨封閉容器中充入純淨單一氣體(tǐ),利用等離(lí)子加熱(rè)、靜(jìng)态放(fàng)電方式,完全純化氣體(tǐ)分(fēn)子。在加熱(rè)溫度使氣體(tǐ)分(fēn)子産生(shēng)白(bái)熾雲态時,再次向容器中充入與白(bái)熾雲态氣體(tǐ)相(xiàng)同的純淨低溫氣體(tǐ),快(kuài)速凝化白(bái)熾雲态氣體(tǐ)分(fēn)子,在等溫狀态下結合成烯。

24


幹(單)膜制氫技術


簡介:把導電烯松綿體(tǐ)分(fēn)解爲單層網膜結構,放(fàng)入一個注有導電性質的淨化水金屬容器中,與容器之間用淨化水隔離(lí),在單層網膜一端通入微波頻率的交流電能,使單層網膜在淨化水中分(fēn)解水氫。

25


多軸切變雷達技術(立體(tǐ)成像)


簡介:以全角位多弦軸波圖合成原理(lǐ),對測試物進行截點切變三維增益測試,可(kě)使截點回波成像率達到99.76%立體(tǐ)影(yǐng)像。

26


納米絲晶集成電路(lù)技術


簡介:在納米級半導體(tǐ)單晶絲表面,以簇點搭橋構成元件,制成多相(xiàng)晶面組合電路(lù),使電子形成界面飽和傳輸、存儲,形成無界層集成電路(lù)。

27


臨界粒子簇變技術


簡介:以亞粒子射線轟擊待變粒子簇界面,使粒子簇位形成剪滲增變效應,處于臨界狀态。在連續轟擊下,臨界态粒子簇不斷剪滲增變,迫使核性随增變而産生(shēng)瞬變,生(shēng)成與原物質性質相(xiàng)反的物質粒子。

28


質場技術理(lǐ)論


簡介:利用膠子力場穩态交變特性,以加載力場的方式,使核力、磁力、引力産生(shēng)場性互變,達到物質力場任意轉換,互爲便通的統一力場效應。

29


負導靜(jìng)磁能量技術(水下10~50萬噸排水量無聲推進技術)


簡介:利用阻磁性材料制作mm級間距等寬單向開口的陣列式阻磁隧道,在mm級間距壁面,以N極對沖磁場爲效應力場,由設置在阻磁隧道中的電磁阻尼棒,對隧道中磁能産生(shēng)過載阻尼,以脈沖形式的過載磁能,在隧道端口進行過載質量磁能釋放(fàng),産生(shēng)Mg級(單隧道)質量磁能反作用推力。

30


量子13000km分(fēn)子級分(fēn)辨率實物靜(jìng)動态掃描技術


簡介:以屏蝕相(xiàng)位量子透屏顯示原理(lǐ),對靜(jìng)動态目标物進行激屏掃描測試,使屏蝕相(xiàng)位量子與目标物量子發生(shēng)聯動,并自(zì)動反饋聯動信息,可(kě)在13000km距離(lí)範圍内,透屏顯示目标物分(fēn)子級靜(jìng)動态幾何影(yǐng)像。

31


伽屏顯示技術


簡介:以負價同位素基色液晶爲伽屏基質,全頻率光色同步無外能直接顯示原始影(yǐng)像,淨屏保真率爲100%。

32


鈾繭核能技術(微型核、電瞬轉技術)


簡介:把鈾與鑽石晶基體(tǐ)制作成繭縛結構,在鑽石晶基體(tǐ)表面和端面設爲正負電極,由鈾原子負盾釋放(fàng)的界面核能,對鑽石晶基體(tǐ)形成迫容性激勵,使鑽石晶基體(tǐ)中的電子産生(shēng)能壓遊離(lí),由端面電極輸出鑽石晶基體(tǐ)。做功後,返回鈾繭至鑽石晶基體(tǐ)表面,形成回路(lù)狀态。

33


極化原子及應用技術


簡介:以物質結構原子增減誇克産生(shēng)極化原理(lǐ),把極化誇克非對稱交極合成溢能粒子,使誇克内能表面化,構成交極能量結構粒子,應用于各種功能性及宇宙防護結構體(tǐ)。

34


電子異态技術理(lǐ)論(晶态、液态)


簡介:把遊離(lí)電子輸入到左旋膠子對力場後,電子在力場偏振能量作用下,1/2交變過程終止,處于失衡狀态。在力場連續作用下,電子出現鍾擺運動現象,并逐漸減擺,成爲類惰性态電子,依附在左旋膠子對近邊緩慢(màn)堆積。偶數堆積形成質量晶态電子,素數堆積則形成質量液态電子。

35


伽瑪浮點全息影(yǐng)像技術


簡介:把伽瑪同頻潔淨效應蒸汽充入透光容器中,在伽瑪射線粒子按程序定向進入容器後,容器内同頻蒸汽對外來(lái)伽瑪粒子産生(shēng)諧頻汽淩效應,使外來(lái)伽瑪粒子在蒸汽中連續拉長運動頻率,逐漸成爲減頻光子,懸浮在蒸汽中,與同時進入蒸汽的外來(lái)伽瑪粒子同效構成預設全息影(yǐng)像,即:伽瑪四維浮點全息影(yǐng)像。以上35種颠覆性技術,有條件的國(guó)家科(kē)研機構和高科(kē)技企業應該組織力量研究攻關,這樣的技術進步一旦成熟并投入實用,必然對人(rén)類文明的發展帶來(lái)巨大(dà)的促進。


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